科技进展

澳门新葡8455注册InP基无锑量子阱激光器和高铟组分InGaAs材料研究再获突破

  

  2-3微米波段半导体激光器和探测器在航天遥感和气体光谱检测等方面具有重要的应用。中科院澳门新葡8455注册信息功能材料国家重点实验室研究人员通过对量子阱有源区和分子束外延生长条件的优化,成功研制出波长达2.9微米的激光器,这是当前国际报道的波长最长InP基无锑量子阱激光器。该工作已在Applied Physics Letters杂志上发表并引起国际广泛关注,国际半导体领域行业杂志Semiconductor Today对此作了专题报道。同时,在高铟组分InGaAs材料的输运特性研究方面也取得显著进展,结合实验和计算获得了重要输运参数,填补了此方面参数的空白,为器件设计提供了依据。该工作已在Journal of Materials Chemistry C杂志上发表。 

    

  报道链接: 

  http://www.semiconductor-today.com/news_items/2015/apr/sim_080415.shtml  

  论文链接: 

  http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/106/12/10.1063/1.4916270 

  http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2015/tc/c4tc02709d/unauth 

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